型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGWA40H120DF2 TO-247-342805-49￥12.764750-199￥12.2192200-499￥11.9137500-999￥11.83741000-2499￥11.76102500-4999￥11.67375000-7499￥11.6192≥7500￥11.5646 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4PC40UDPBF 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚95811-9￥632.084410-49￥609.906050-99￥607.1337100-149￥604.3614150-249￥599.9257250-499￥596.0445500-999￥592.1633≥1000￥587.7276 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4PF50WDPBF 单晶体管, IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚72121-9￥634.444210-49￥612.183050-99￥609.4004100-149￥606.6177150-249￥602.1655250-499￥598.2698500-999￥594.3740≥1000￥589.9218 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGY50NC60WD 系列 600 V 50 A 超快 IGBT 通孔 - MAX-24791261-9￥97.899510-99￥93.6430100-249￥92.8768250-499￥92.2809500-999￥91.34451000-2499￥90.91882500-4999￥90.3229≥5000￥89.8122 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。319710-99￥8.5920100-499￥8.1624500-999￥7.87601000-1999￥7.86172000-4999￥7.80445000-7499￥7.73287500-9999￥7.6755≥10000￥7.6469 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 14 A, 2.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 引脚592010-99￥11.1480100-499￥10.5906500-999￥10.21901000-1999￥10.20042000-4999￥10.12615000-7499￥10.03327500-9999￥9.9589≥10000￥9.9217 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC14635-49￥12.074450-199￥11.5584200-499￥11.2694500-999￥11.19721000-2499￥11.12502500-4999￥11.04245000-7499￥10.9908≥7500￥10.9392 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube86765-49￥17.912750-199￥17.1472200-499￥16.7185500-999￥16.61141000-2499￥16.50422500-4999￥16.38175000-7499￥16.3052≥7500￥16.2286 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IGW30N60T 单晶体管, IGBT, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 引脚73965-49￥23.879750-199￥22.8592200-499￥22.2877500-999￥22.14491000-2499￥22.00202500-4999￥21.83875000-7499￥21.7367≥7500￥21.6346 -
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品类: IGBT晶体管描述: SPM®（智能电源模块），SPM45、SPM45L 系列，Fairchild Semiconductor ### 电动机控制器和驱动器，Fairchild Semiconductor77271-9￥60.225510-99￥57.6070100-249￥57.1357250-499￥56.7691500-999￥56.19301000-2499￥55.93122500-4999￥55.5646≥5000￥55.2504 -
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品类: IGBT晶体管描述: SLLIMM™ 智能电源模块，STMicroelectronics 通过引入第二个 SLLIMM 智能电源模块系列，STMicroelectronics 扩展了 IGBT 智能电源模块的功能。 由于具有最佳传导和转换能量平衡，结合了出色的坚固性和 EMI 行为，它们可提高电动机驱动器应用的效率，使其工作高达 20 kHz。 它们提供完全模制或基于 DBC 的封装，具有较高的电极电流。 小型低损耗智能模制模块 (SLLIMM™) 可提高家用电器电动机驱动器的效率。 智能电源模块 (IPMS) 可在低电压微控制器和电源供电电动机之间提供直接连接。 三相 IGBT 反相器桥接，包括用于栅极驱动的控制 IC 和续流二极管 175°C 最大工作接点温度 600V，额定值从 8A 到 35A 直流（25°C 时） 低 VCE(sat) 具有市场上最低的 Rth 值，用于 DBC 封装型号 隔离额定值为 1500 Vrms/min 经优化的驱动器和硅，提供低 EMI 单独的开路发射器输出 3.3V、5V、15V CMOS/TTL 输入 欠压锁定 内部限幅二极管 联锁功能 智能关闭功能 比较器，用于防止过热和过电流故障 ### 电动机控制器和驱动器，STMicroelectronics70651-9￥43.944410-99￥41.4230100-249￥39.5500250-499￥39.2618500-999￥38.97361000-2499￥38.64952500-4999￥38.3613≥5000￥38.1812 -
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品类: IGBT晶体管描述: UPS / 太阳能 1200 V 100 A 法兰安装 超级 场截止 IGBT - TO-247-345155-49￥33.064250-199￥31.6512200-499￥30.8599500-999￥30.66211000-2499￥30.46432500-4999￥30.23825000-7499￥30.0969≥7500￥29.9556 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRGP50B60PD1PBF 单晶体管, IGBT, 75 A, 2.35 V, 390 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚40031-9￥256.438510-49￥249.748850-99￥244.6200100-199￥242.8361200-499￥241.4982500-999￥239.71431000-1999￥238.5993≥2000￥237.4844 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IKW40N65H5FKSA1 单晶体管, IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 引脚63745-49￥27.179150-199￥26.0176200-499￥25.3672500-999￥25.20461000-2499￥25.04192500-4999￥24.85615000-7499￥24.7400≥7500￥24.6238 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGWA40S120DF3 晶体管, IGBT, TO24738351-9￥62.445010-99￥59.7300100-249￥59.2413250-499￥58.8612500-999￥58.26391000-2499￥57.99242500-4999￥57.6123≥5000￥57.2865 -
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品类: IGBT晶体管描述: SLLIMM™ 智能电源模块，STMicroelectronics 通过引入第二个 SLLIMM 智能电源模块系列，STMicroelectronics 扩展了 IGBT 智能电源模块的功能。 由于具有最佳传导和转换能量平衡，结合了出色的坚固性和 EMI 行为，它们可提高电动机驱动器应用的效率，使其工作高达 20 kHz。 它们提供完全模制或基于 DBC 的封装，具有较高的电极电流。 小型低损耗智能模制模块 (SLLIMM™) 可提高家用电器电动机驱动器的效率。 智能电源模块 (IPMS) 可在低电压微控制器和电源供电电动机之间提供直接连接。 三相 IGBT 反相器桥接，包括用于栅极驱动的控制 IC 和续流二极管 175°C 最大工作接点温度 600V，额定值从 8A 到 35A 直流（25°C 时） 低 VCE(sat) 具有市场上最低的 Rth 值，用于 DBC 封装型号 隔离额定值为 1500 Vrms/min 经优化的驱动器和硅，提供低 EMI 单独的开路发射器输出 3.3V、5V、15V CMOS/TTL 输入 欠压锁定 内部限幅二极管 联锁功能 智能关闭功能 比较器，用于防止过热和过电流故障 ### 电动机控制器和驱动器，STMicroelectronics93001-9￥84.410010-99￥80.7400100-249￥80.0794250-499￥79.5656500-999￥78.75821000-2499￥78.39122500-4999￥77.8774≥5000￥77.4370 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 65 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚60195-49￥17.690450-199￥16.9344200-499￥16.5110500-999￥16.40521000-2499￥16.29942500-4999￥16.17845000-7499￥16.1028≥7500￥16.0272 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube863210-99￥8.7480100-499￥8.3106500-999￥8.01901000-1999￥8.00442000-4999￥7.94615000-7499￥7.87327500-9999￥7.8149≥10000￥7.7857 -
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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。51311-9￥46.506410-99￥43.8380100-249￥41.8558250-499￥41.5508500-999￥41.24581000-2499￥40.90282500-4999￥40.5978≥5000￥40.4072 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。48651-9￥46.860210-99￥44.1715100-249￥42.1742250-499￥41.8669500-999￥41.55961000-2499￥41.21392500-4999￥40.9067≥5000￥40.7146 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed85775-49￥20.802650-199￥19.9136200-499￥19.4158500-999￥19.29131000-2499￥19.16682500-4999￥19.02465000-7499￥18.9357≥7500￥18.8468 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGWA80H65DFB TO-24739055-49￥16.602350-199￥15.8928200-499￥15.4955500-999￥15.39621000-2499￥15.29682500-4999￥15.18335000-7499￥15.1124≥7500￥15.0414 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB40N120SWG 单晶体管, IGBT, 80 A, 2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚26935-49￥18.486050-199￥17.6960200-499￥17.2536500-999￥17.14301000-2499￥17.03242500-4999￥16.90605000-7499￥16.8270≥7500￥16.7480 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG18N120BND 单晶体管, IGBT, 通用, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚40235-49￥32.607950-199￥31.2144200-499￥30.4340500-999￥30.23901000-2499￥30.04392500-4999￥29.82095000-7499￥29.6816≥7500￥29.5422 -
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品类: IGBT晶体管描述: HGTG11N120CND系列 1200 V 43 A 法兰安装 NPT N沟道 IGBT-TO-24741375-24￥3.699025-49￥3.425050-99￥3.2332100-499￥3.1510500-2499￥3.09622500-4999￥3.02775000-9999￥3.0003≥10000￥2.9592 -
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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。75385-49￥22.276850-199￥21.3248200-499￥20.7917500-999￥20.65841000-2499￥20.52512500-4999￥20.37285000-7499￥20.2776≥7500￥20.1824 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGPF15N60UNDF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220F封装38435-24￥2.295025-49￥2.125050-99￥2.0060100-499￥1.9550500-2499￥1.92102500-4999￥1.87855000-9999￥1.8615≥10000￥1.8360 -
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品类: IGBT晶体管描述: FGL60N100BNTD 管装39925-49￥12.589250-199￥12.0512200-499￥11.7499500-999￥11.67461000-2499￥11.59932500-4999￥11.51325000-7499￥11.4594≥7500￥11.4056 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGF15M65DF2 TO-220FP-368055-24￥5.872525-49￥5.437550-99￥5.1330100-499￥5.0025500-2499￥4.91552500-4999￥4.80685000-9999￥4.7633≥10000￥4.6980 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚34395-49￥12.261650-199￥11.7376200-499￥11.4442500-999￥11.37081000-2499￥11.29742500-4999￥11.21365000-7499￥11.1612≥7500￥11.1088
